帝国理工学院 | 由超对角 RIS 构成的层叠超表面:物理一致性建模与性能分析
引言
层叠智能超表面(Stacked Intelligent Metasurface, SIM)作为一种新兴技术,通过多层堆叠的可重构智能表面(Reconfigurable Intelligent Surface, RIS)实现电磁波域波束赋形。传统SIM实现均基于对角RIS(D-RIS),而基于超对角RIS(Beyond Diagonal RIS, BD-RIS)的SIM实现尚未得到探索。此外,考虑互耦效应的SIM物理一致性模型仍属空白。本文填补了这些研究空缺,推导了SIM辅助系统的物理一致性信道模型,并阐明了获得简化模型所需的假设条件。
SIM技术的核心优势
SIM技术具有三个显著优势,使其成为未来无线通信的重要候选技术:
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第一,SIM可替代传统数字波束赋形,消除对高分辨率数模转换器(DAC)和模数转换器(ADC)的需求,降低硬件成本。
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第二,SIM可减少所需射频链路数量,从而降低能量消耗。
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第三,SIM可消除预编码处理带来的延迟,因为波束赋形在电磁波域完成。
系统建模方法
本文采用多端口网络理论对SIM辅助通信系统进行建模。考虑一个M天线发射机与K天线接收机之间的SIM辅助系统,SIM部署在发射机侧,由L层组成,每层为N元RIS。

图1 SIM 辅助的通信系统模型
在发射端,第m根天线与源电压和源阻抗串联连接。SIM是L个模块的级联,每个模块由无线信道与RIS的级联组成。第ℓ个模块包含第(ℓ-1)层与第ℓ层SIM之间的无线信道,以及实现第ℓ层SIM的RIS。
对角RIS与超对角RIS的区别
传统D-RIS的散射矩阵为对角结构,而BD-RIS通过在RIS单元之间引入可调阻抗互连组件,实现非对角散射矩阵设计。根据可调互连的位置,已提出多种BD-RIS架构,如全连接/组连接RIS和树/森林连接RIS。
通用信道模型推导
通过多端口网络理论,本文推导了包含发射机、SIM各层和接收机互耦效应的通用信道模型。该模型通过递归方式计算等效散射矩阵,最终得到发射机与接收机之间的完整信道矩阵H:
H = S₂₁(I + S₁₁)⁻¹
其中S为整个信道的散射矩阵。该表达式虽物理完备,但难以直观理解可重构散射矩阵的作用。
简化信道模型
为简化模型,本文引入以下假设:
单向近似:所有信道H⁽ℓ⁾满足单向近似,即第(ℓ-1)层SIM的电磁特性独立于第ℓ层SIM的电磁特性;
无互耦假设:发射天线与RIS天线之间无互耦,且与参考阻抗完美匹配。
在这些假设下,信道模型简化为:
H = H̄ᴿΘ̄⁽ᴸ⁾H̄⁽ᴸ⁾···Θ̄⁽²⁾H̄⁽²⁾Θ̄⁽¹⁾H̄⁽¹⁾
D-RIS与BD-RIS实现的SIM性能比较
D-RIS实现的SIM
对于采用D-RIS实现的SIM,可获得信道增益的上界:
|h|² ≤ |h̄ᴿ|²·|H̄⁽ᴸ⁾|²···|H̄⁽²⁾|²·|h̄⁽¹⁾|²
本文提出了一种迭代优化算法,在每次迭代中通过闭式全局最优解优化一个矩阵Θ̄⁽ℓ⁾。从电路复杂度角度,当SIM层采用透射模式工作的D-RIS实现时,每层需要3N个可调阻抗,整个SIM架构共需3NL个可调阻抗。
BD-RIS实现的SIM
对于采用BD-RIS实现的SIM,当L=1时,可实现的信道增益为:
|h|² = |h̄ᴿ|²·|h̄⁽¹⁾|²
该性能上界可通过低复杂度的树连接RIS架构实现。由于无线信道满足|H̄⁽ℓ⁾|<1,上述上界总是大于D-RIS情况。采用单层树连接RIS实现的SIM仅需4N-1个可调阻抗,电路复杂度显著降低。
数值仿真结果
仿真考虑3D系统,发射天线位于原点,SIM层为Nₓ×Nᵧ均匀平面阵列,平行于x-y平面。SIM层之间以及与发射天线之间间距为一个波长λ,RIS单元间距为λ/2,设置Nₓ=4,载波频率28 GHz。

图3. 采用D-RIS和BD-RIS实现的SIM归一化信道增益与电路复杂度说明:横轴为RIS单元数量,左图纵轴为归一化信道增益G=|h|²/(‖h̄ᴿ‖²‖h̄⁽¹⁾‖²), 右图纵轴为电路复杂度(可调阻抗数量)
仿真结果表明:当RIS单元数N较少时,层数L较少的SIM更有利。这是因为低N会降低‖H̄⁽ℓ⁾‖的值,而‖H̄⁽ℓ⁾‖<1恒成立,当‖H̄⁽ℓ⁾‖<<1时,高L会限制性能上界中的乘积项。当N值较高时,更多层的SIM因其增强的灵活性而更有利。
结论
本文利用多端口网络理论分析SIM辅助系统,推导了物理一致性信道模型。为理解SIM在模型中的作用,引入两个假设并获得与现有文献一致的简化模型。未来研究方向包括:研究信道模型假设的影响,在更通用系统中优化SIM,以及SIM的原型开发。
参考文献
M. Nerini and B. Clerckx, "Physically Consistent Modeling of Stacked Intelligent Metasurfaces Implemented With Beyond Diagonal RIS," IEEE Communications Letters, vol. 28, no. 7, pp. 1693-1697, July 2024.
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