5.1 基本电流镜

  1. 电流源是模拟IC的基本模块,用途包括Load、差分对的尾电流Bias...
    如何获得稳定(PVTL,自激)的电流源?
    P:不同wafer的V_{TH}相差100mV;
    V:允许V_{DD}变换±10%
    T:迁移率和阈值电压是温度的函数。

    设计思想:对基准电流(不随PVT变化)进行复制
    复制方法:用二极管连接的MOS产生基准电流的反函数即V_{GS},再将其镜像到另一个MOS。
    从而避免了定义电压,用尺寸比定义电流。Bias和main-op越靠近,复制效果越好。
     
  2. 尺寸比的实际实现方式:
    由于源、漏的横向扩散,电流镜采用相同L的晶体管。(Leff=L-2ΔL)
    由于栅的拐角效应,采用相同尺寸的multi-fingers并联来缩放W。
     
  3. 缺点:由于沟调效应的影响,且V_{DS2}受外部电路的影响,所以镜像电流有误差。

5.2 共源共栅电流镜

  1. 利用共源共栅器件(输出电阻大)对电流源的屏蔽作用。
     
  2. 简单共源共栅电流镜(迫使V_{DS2}=V_{DS1}):

    缺点:P点电压最小值浪费了一个阈值电压的余度:

     
  3. 低电压共源共栅电流镜(迫使V_{DS1}=V_{DS2}):
    出发点:令V_{b,min}=2V_{OD}+V_{TH},单独引出V_b使之可以自由设计。
    M1依旧充当电流电压转换器


    (1)只需要保证:
    M0饱和→V_b-V_{TH1}\leqslant V_X=V_{GS1}
    M1饱和→V_A=V_b-V_{GS0}\geqslant V_{GS1}-V_{TH1}

    (2)V_b的生成电路(V_b\approx V_{GS0}+(V_{GS1}-V_{TH1})):

    (a)令I_1R_b\approx V_{TH1}。缺点:体效应、电阻
    (b)令V_{GS7}\approx V_{TH1}。缺点:体效应、M7的宽长比很大。
    都不靠谱
     
  4. 实际集成电路产品:

5.3 有源电流镜

  1. 带电流源(无源电流镜)负载的差动对:

    将差动输出变成单端输出
    M1的漏电流浪费了
     
  2. 有源电流镜→五管operational transconductance amplifier(OTA):

    Gain is enhanced by the mirror.Vout increases sharply.

    (1)大信号分析:

    如果电路完全对称,则对于任何V_{in,CM}都有V_{out}=V_{F}即输出直流电压确定。
    输入共模范围:V_{GS1}+V_{OD5}\leqslant V_{in,CM}\leqslant V_{out}+V_{TH}=V_{F}+V_{TH}

    (2)小信号分析:
    不能用半边等效电路法。


    I_{ss}为理想电流源时,差模增益:


    (3)共模特性:
        --M1、M2对称,但I_{ss}不理想:
        A_{CM}=\frac{\Delta V_{out}}{\Delta V_{in,CM}}
       

      --M1、M2失配:

5.4 偏置技术

CS级的偏置
(1) 简单的CS级:
电压偏置:V_G=V_B+V_{in}  电阻接入+电容耦合

改进:
V_B用二极管连接的M_B生成。
V_{in}包含非常低的频率时,由于C_BR_B构成高通滤波器,所以电容和电阻占据很大面积。可以用长而窄、工作在深线性区、过驱动电压小的MOS管代替R_B。为了保证V_G-V_BV_{TH}附近,采用二极管连接的M_C生成精确的V_{GS}。(非线性电阻,实际很少用)


(2)采用电流源负载的CS级:
为了防止两个高阻抗电流源M1和M2相互干扰,对M2采用电流源自偏置。
用电平移位R_GI_G弥补输出的偏置(=V_{DD}-|V_{GS2}|)的损失,提高输出摆幅。

Logo

旨在为数千万中国开发者提供一个无缝且高效的云端环境,以支持学习、使用和贡献开源项目。

更多推荐