5V串口和3.3V串口通信电平转换电路

5V串口与3.3V串口连接时，3.3V串口的芯片的串口IO引脚电压高于3.3V，接近5V，这将造成电流从5V流向3.3V的IO，将造成3.3V系统的芯片发热，轻则不能正常使用，重则烧毁芯片，因此需要进行串口电平转换。
TXD-3V3为1时，因T1栅极为3V3，T1截止，RXD-5V=1
TXD-3V3为0时，因T1栅极为3V3，T1导通，RXD-5V=0
TXD-5V为1时，因D1为二极管不能反向导通，无法影响RXD-3V3，3V3上拉=1
TXD-5V为0时，RXD-3V3电压约0.6V，等于是0
该二极管使用1N4148即可，大款可用1N5819之类肖特基
如电路正常工作，或内部上拉，R1-R3可不用，又省1分钱
一毛钱的成本都不到,场效应管5分，二极管2分，3个电阻1分，价格我说高了吗?喜欢的关注下

适用单片机和ARM之类等任何需要电平转换的地方，不一定是5V和3.3V，理论上2V-5V电路均可工作

不要串联任何电阻

不建议在使用硅二极管时，在高电压端的IO电路中串联任何电阻，阻值几十的不在探讨之列，该电阻存在电压将，可能会影响低电平，非要用这个电阻时，可以将二极管更换为肖特基二极管，肖特基二极管的电压将较小，可以抵消一部分因为电阻增加的电压

为什么要选择BSS138

选择BSS138的原因是需要保证在栅极电压3.3V的情况下，MOSFET能够导通，这点请注意，VGS较低的MOSFET请参考以下链接
常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表

BSS138参数

属性	参数值
商品目录	场效应管(MOSFET)
类型	1个N沟道
漏源电压(Vdss)	50V
连续漏极电流(Id)	340mA
功率(Pd)	350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	2.5Ω@10V,0.34A
阈值电压(Vgs(th)@Id)	1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)	1.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)	17.5pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)	6.5pF@25V
工作温度	-55℃~+150℃

特征

RDS（on）@VGS=10V < 2.5Ω
RDS（on）@VGS=4.5V < 3.0Ω
沟槽功率低压MOSFET技术
用于低 RDS（ON） 的高密度电池设计

应用

高速开关
电池保护
负载开关
电源管理

封装：SOT-23

端子：镀锡，可焊接，符合 MIL-STD-750，Method 2026
模塑料符合 UL 94V-0 可燃性等级，符合 RoHS 标准，无卤素

BSS138电器参数

除非另有说明，否则Ta=25°C

参数	符号	条件	单位	最小	典型	最大
漏源击穿电压	BVDSS	VGS= 0V，内径=250μA	V	50	－	－
零栅极电压漏极电流	IDSS	VDS=50V，VGS=0V	微安	－	－	0.5
栅极体漏电流	IGSS1	VGS= ±20V，VDS=0V	nA	－	－	±100
	IGSS2	VGS= ±10V，VDS=0V	nA	－	－	±50
栅极阈值电压	VGS（th）	VDS= VGS，Id=250μA	V	0.8	1.2	1.6
静电漏源导通电阻	RDS（开）	VGS= 10V，Id=300mA	Ω	－	1.1	2.5
		VGS= 4.5V，Id=200mA		－	1.2	3.0
二极管正向电压	VSD	IS=300mA，VGS=0V	V	－	－	1.2
最大体二极管连续电流	Is	－	mA	－	－	340