N沟道增强型

输出特性

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(1)截止区
栅源电压 v G S v_{GS} vGS< V T N V_{TN} VTN,沟道未形成。

(2)可变电阻区
栅源电压 v G S v_{GS} vGS> V T N V_{TN} VTN,沟道已形成,漏源电压越大,电子流动越快。

(3)饱和区
由于预夹断,电流已不随栅源电压的增加而增加。
i D = K n ( v G S − V T N ) 2 i_D = K_n(v_{GS} - V_{TN})^2 iD=Kn(vGSVTN)2

转移特性

定义:漏源电压一定的条件下,栅源电压v_{GS}对漏极电流i_D的控制特性。
i D = f ( v G S ) , v D S 为 常 数 i_D = f(v_{GS}) , v_{DS}为常数 iD=f(vGS),vDS
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N沟道耗尽型

输出特性

转移特性

P沟道增强型

输出特性

转移特性

P沟道耗尽型

输出特性

转移特性

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