Silvaco TCAD仿真10——MOSFET结构仿真
代码go atlas#定义网格#二维非均匀网格meshx.m l=0.0spacing=0.3x.m l=0.5spacing=0.018x.m l=2.5spacing=0.018x.m l=3spacing=0.3y.m l=-0.02 spacing=0.01y.m l=0.0spacing=0.01y.m l=0.3spacing=0.06y.m l=1.0spacing=0.2regio
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代码
MOS器件结构
go atlas
#定义网格
#二维非均匀网格
mesh
x.m l=0.0 spacing=0.3
x.m l=0.5 spacing=0.018
x.m l=2.5 spacing=0.018
x.m l=3 spacing=0.3
y.m l=-0.02 spacing=0.01
y.m l=0.0 spacing=0.01
y.m l=0.3 spacing=0.06
y.m l=1.0 spacing=0.2
#定义材料
region num=1 y.min=0 silicon
region num=2 y.max=0.0 oxide
#定义电极
elect num=1 name=gate x.min=0.5 length=2 y.min=-0.02 y.max=-0.02
elect num=2 name=source left length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0
elect num=3 name=drain right length=0.5 y.min=0.0 y.max=0.0
elect num=4 name=substrate substrate
#定义掺杂
doping uniform p.type conc=2.e16
doping uniform n.type conc=1.e20 x.max=0.5 y.max=0.2
doping uniform n.type conc=1.e20 x.min=2.5 y.max=0.2
不同沟道状态
#模型定义
#迁移率模型( cvt)、复合模型
models cvt srh print
#电极接触类型
#多晶硅栅(自对准效应)
contact name=gate n.poly
#界面电荷
#SiO2和Si的接触是不理想的,存在界面态,固定的界面电荷
interface qf=3e10
method newton
#求解初始状态
solve init
#求解漏电压=10V的情况
solve vdrain=10
#存储结果
log outf=nmos1_1.log
solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=gate
save outf=nmos1_1.str
quit
仿真
对于硅基器件,
Vd=10V,Vg=5V,绝大部分器件,处于反型。
夹断,处于饱和状态。
器件结构
分布情况
查看其他分布情况
右键->display
电场分布情况
载流子分布情况
电流
cutline做切线看物理量分布
tools->cutline
选择人为设置坐标 ,create
可以看到沟道及其附近电子浓度
看到沟道夹断的情况
参考:
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