你可能听说过双通道内存，但Rank呢？是的，那是另一种内存 DIMM（模组）。简单来说，双Rank内存 DIMM 相当于在同一个 DIMM 上有两个常规的“单Rank”内存模组。因此，双Rank内存模组的宽度（就带宽而言）应该是单Rank模组的两倍。

单Rank配置的宽度为 64 位，而双Rank模组的宽度为128 位。然而，由于内存通道只有 64 位宽（与单Rank模组相同），内存控制器一次只能寻址一个Rank。正如你所料，这应该会使双Rank内存比传统的单Rank模组更慢，即使它们更密集。但实际上，单通道和双通道模块的延迟之间的差异几乎无法察觉。

这是因为双Rank内存有更多的打开行（页），增加了命中率，从而减少了刷新的机会。同时，访问不同Rank会导致延迟损失，在某些情况下会打断流水化操作，降低性能。因此，多Rank模组的整体影响因应用程序而异。通常，双Rank内存更适用于对工作带宽敏感的情况。

在消费类 PC 上，安装我们的所有DIMM 类似于拥有双通道、双列Rank。一般来说，双Rank配置比单Rank PC 快 5-10%，在 AMD 的 Ryzen CPU 上优势更加明显。

理论上，还有四Rank内存 DIMM，可以将其视为单个模组上4个Rank的 DIMM。由于一次只能访问四Rank中的一个Rank，因此这类模组比单Rank DIMM 慢一些。出于这个原因，一般不会在主流 PC 上找到四Rank模组。

因为 rank 是 64 或 72 位，所以由 x4 芯片制成的 ECC 模组需要 18 个芯片才能实现一个单Rank。由 x8 芯片制成的 ECC 模组只需要 9 DRAM个即可组成一个Rank。由 18 个 x8 芯片制成的模组将是双Rank的，具有36个 x8 芯片的 ECC 模组将是四Rank的。这里，x4 和 x8 代表每个 DRAM 芯片位宽。

四Rank DIMM 通常是 LRDIMM，但实际上用于2Rank模组，这是由于 LRDIMM 缓冲区部分的抽象，使四Rank DIMM 看起来像系统的双Rank DIMM。

这不仅有助于增加服务器上的 DIMM 数量，还有助于掩盖由四Rank模组引起的延迟损失（在某种程度上）。大多数服务器每个内存通道支持多达三个 LRDIMM，与标准四Rank RDIMM 相比，显着提高了内存容量和速度。

有关内存Rank的信息通常可以在 DIMM 标签上找到。单Rank通常标记为 1Rx (1Rx8/1Rx8/1Rx16)，双Rank内存标记为 2Rx (2Rx8/2Rx8/2Rx16)，四Rank标记为 4Rx (4Rx8/4Rx8/4Rx16)。需要注意的是，DIMM 上 DRAM 芯片的物理面并不一定表示Rank。单Rank模组不一定是单面 DIMM，双面模组不一定是双Rank DIMM，反之亦然。